Le projet vise à développer un nouvel instrument qui permettra d’élaborer, de manipuler et de caractériser en 3D des composants nanométriques dans une même enceinte.

D’un point de vue scientifique, le projet a pour but l’utilisation de cet outil pour la fabrication de nouveaux composants Si-Ge à l’échelle nanométrique, en vue de leurs applications en nanoélectronique.

Le couplage FIB/MBE est unique en France (un exemplaire FIB silicium MBE University of Virginia, USA)

ORSAY Physics